JSM5619 当工业驱动领域还在为 PT5619 的性能点赞时，杰盛微半导体已悄然推出升级替代型号 ——JSM5619。这款三相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅 100% 兼容 PT5619 的引脚与电气参数，更在抗干扰能力、温度适应性等细节实现技术突破，成为电机控制、逆变器等场景的新一代优选方案。

一、产品介绍
JSM5619是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM5619逻辑输入电平兼容低至3,3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。        

JSM5619的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。
JSM5619为 TSSOP20封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容 3.3 /5V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-9V
栅极驱动电压范围 8V至20V
高、低侧欠压锁定电路
-高侧欠压锁定正向阅值7.1V
-高侧欠压锁定负向阀值 6.9V
-低侧欠压锁定正向阀值 7V
-低侧欠压锁定负向阅值6.6V
防直通死区逻辑
-死区时间设定 200ns
芯片传输廷时特性
-开通/关断传输延时 Ton/Toff=150ns/120ns
-延迟匹配时间小于 50ns
宽温度范围-40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 1.5AV1.8A
符合 RoSH 标准

三、应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

四、技术参数详解：硬核实力看得见
极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 COM 为参考的，环境温度为 25℃
推荐工作范围
为了正确地操作，姜器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 COM 的偏置额定值是在电源电压为 15V时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以COM 为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图

💡 【为什么选择 JSM5619 替代 PT5619？】
供应链保障：原厂直供，交期稳定，解决 PT5619 可能存在的供货风险；
成本优化：性能升级但价格持平，性价比更高；
技术支持：提供从电路设计到 PCB 布局的全流程技术文档与工程师支持；
环保认证：符合 RoHS 标准，满足绿色制造需求。

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📧 邮箱：janice@jsmsemi.com

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