JSM2127STR在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响整个系统的效率、可靠性与安全性。杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的JSM21271STR，作为一款 300V 集成自举带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片，不仅填补了国产高性能驱动芯片的空白，更以优异的兼容性和性能，成为 IR21271 的理想替代方案。今天，我们就来深入解析这款芯片的核心优势与应用价值。
一、概览
JSM21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。JSM21271采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
JSM21271其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MSFET，浮地通道最高工作电压可达300 V。JSM21271采用 SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+300V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压
--从8V到 22V
集成欠压锁定电路
--欠压阈值 6.8V17.2V
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时 Ton/Toff=150ns/150ns
宽温度范围-40°C~125°C
Fautt 引脚故障输出
符合 RoSH 标准
SOP-8(S)
三、应用范围
DC-DC转换器
开关电源太阳能逆变器
不间断电源(UPS）
电机控制和驱动机器人技术
电动汽车快速充电
四、技术参数详解：硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围：
为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为25℃。
五、引脚功能描述
六、功能框图
在功率电子国产化的浪潮中，JSM21271STR 的出现，为工程师提供了一个 “性能更优、成本更低、供应更稳” 的 IR21271 替代方案。无论是追求设计效率的量产项目，还是应对严苛工况的高端设备，这款芯片都能以 “无缝兼容 + 性能升级” 的双重优势，成为系统可靠性的坚实保障。
现在，杰盛微 JSM21271STR 样品已全面开放申请，扫描下方二维码即可获取 datasheet 与测试支持，让你的设计加速落地！
如需获取JSM21271STRdatasheet、样品或代理合作咨询，欢迎联系：
📞 服务热线：13824341110
📧 邮箱：janice@jsmsemi.com
杰盛微半导体提供完善的技术支持，帮助客户快速导入设计：
📌 免费申请样品（新客户专享）
📌 提供参考设计及开发工具
📌 资深FAE团队一对一支持
关注我们，获取更多资源
🔹 回复 “ JSM21271STR” 获取 规格书 & 设计指南
🔹 回复 “电源方案” 获取 典型应用案例集
杰盛微半导体——专注高性能电源管理芯片，助力您的产品更高效、更可靠！
请添加销售微信咨询