JSM2128STR集成自举带过流检测的单通道高侧驱动芯片
发布日期：2025-07-22 18:30:00
在工业控制、新能源汽车、机器人等高端制造领域，一款稳定可靠的高侧驱动芯片往往是系统高效运行的 “神经中枢”。长期以来，IR2128STR 作为经典的单通道高侧驱动芯片，凭借其成熟的性能占据了大量市场份额。但近年来，受全球供应链波动、进口芯片交期延长、成本攀升等因素影响，“国产替代” 已成为行业刚需。
在此背景下，杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的JSM2128STR以 “pin-to-pin 完美兼容、性能指标全面对标、本土服务快速响应” 三大优势，成为 IR2128STR 的理想替代方案，为工程师和企业提供了更具性价比的选择。
一、概览
JSM2128S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFETIIGBT 驱动芯片。JSM2128S采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。 JSM2128S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。JSM2128S采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
集成自举二极管
最高工作电压为+300V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑d
Vs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压
--从 12 V到20V
集成欠压锁定电路
--欠压阀值 9V110.3V
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时 TonToff=150ns/150ns
宽温度范围-40°C~125°C
Fautt 引脚故障输出
符合 RoSH 标准
在此背景下，杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的JSM2128STR以 “pin-to-pin 完美兼容、性能指标全面对标、本土服务快速响应” 三大优势，成为 IR2128STR 的理想替代方案，为工程师和企业提供了更具性价比的选择。
JSM2128S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFETIIGBT 驱动芯片。JSM2128S采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。 JSM2128S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。JSM2128S采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
集成自举二极管
最高工作电压为+300V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑d
Vs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压
--从 12 V到20V
集成欠压锁定电路
--欠压阀值 9V110.3V
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时 TonToff=150ns/150ns
宽温度范围-40°C~125°C
Fautt 引脚故障输出
符合 RoSH 标准
SOP-8
三、应用范围
电机控制和驱动
机器人技术
电动汽车快速充电
四、技术参数详解：硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以VSS 为参考的，环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围：
为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为 25℃。
五、引脚功能描述
六、功能框图
国产替代不是 “退而求其次”，而是 “主动升级” 的选择。杰盛微 JSM2128STR 以实力证明：国产驱动芯片不仅能替代进口，更能超越进口。让我们一起，以技术创新推动产业升级，共筑中国 “芯” 未来！
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📧 邮箱：janice@jsmsemi.com
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