今天，杰盛微半导体给出了答案 ——JSM2000G 250V 快速高压侧 NMOS 静态开关驱动器。作为国产替代的标杆产品，它不仅完美兼容 LTC7001 的应用场景，更在电压范围、响应速度、驱动能力等核心指标上实现了超越，为新能源、工业控制、智能电网等领域提供了更可靠的选择。

一、概览
JSM2000G是一款快速、高压侧N沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道 MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。
JSM2000G 采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

二、产品特性
宽工作 VIN:最高 250V
针对快速导通和关闭通道，具有150ns 传输延迟
内置高压侧充电电路，可实现100%占空比
可调导通占空比
栅极驱动器电源电压为 4.5V至 20V
VIN 过压闭锁
驱动器电源 VCC 欠压闭锁
-欠压锁定正向阙值 4.2V
-欠压锁定负向阀值 4V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
TS 负压耐受能力达-9V
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 290mA/600mA
符合 RoSH 标准
SOP-8 (S)

四、技术参数详解：硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 GND 为参考的，环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围：
为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。TS和GND 的偏置额定值是在电源电压为 15V时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 GND为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图

从光伏逆变器到工业控制，从新能源汽车到智能电网，JSM2000G 正以 “更宽、更快、更强” 的性能，重新定义高压侧驱动的标准。选择杰盛微，不仅是选择一款芯片，更是选择一条安全、高效、自主可控的技术路线。
国产替代，不止于 “替代”，更在于 “超越”。杰盛微与您一起，以创新技术推动产业升级，共筑电子信息产业的坚实根基！
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