JSM5109B MAX 250V 1.2A单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
发布日期:2025-07-28 18:00:00

  在工业控制、电机驱动、逆变器设计等场景中,功率器件驱动芯片的稳定性与兼容性直接影响系统性能。当你还在为 LM5019B 的采购成本、供货周期发愁时,JSM5019B来了 —— 这款由 杰盛微推出的高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,不仅完美兼容 LM5019B,更在性能与可靠性上实现升级,为你的设计提供高性价比替代方案!


一、概览
JSM5109B是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM5109B逻辑输入电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
JSM5109B其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达 250V,该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外,JSM5109B的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。JSM5109B采用SOP-8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作

二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 Vins
Vs 负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到 20V
集成欠压锁定电路
--欠压锁定正向闽值 5.5V
--欠压锁定负向闽值 5V
防直通死区逻辑
--死区时间设定200ns
芯片传输廷时特性
--开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/140ns
--延迟匹配时间 50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 1.2A/1.5A
符合 RoSH 标准
SOIC8 (S)


三、应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动


四、技术参数详解:硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的,环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围:
为了正确地操作,器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的,无特殊说明的情况下,所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的,环境温度为25℃。


五、引脚功能描述


六、功能框图


无论是新项目选型,还是老产品升级替代,JSM5019B 都能成为你的得力助手:无需修改电路,无需重新验证,直接替换 LM5019B 即可享受更稳定的性能与更优的成本。
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