在功率电子领域,驱动芯片的选型往往决定了整个系统的效率、稳定性与成本控制。长期以来,IRS2007S、TF2007 等型号凭借先发优势占据市场,但工程师们在实际应用中常面临性能瓶颈与适配难题。今天,杰盛微重磅推出的 JSM2007STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片,以 “引脚兼容 + 性能跃升” 的双重优势,成为替代传统型号的理想之选,为行业带来高性价比的驱动升级解决方案。
一、产品概述
JSM2007是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM2007采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。JSM2007其浮动通道可用于驱动高压侧 N沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达 250V。JSM2007采用 SOIC8 封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
二、应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
电机控制领域:
在洗衣机、空调压缩机等家电电机驱动中,JSM2007STR 的精准死区控制与高效驱动能力,可降低电机运行噪音,提升能效等级,助力家电产品实现 “静音节能” 升级。此外,JSM2007STR 符合 RoHS 环保标准,满足全球市场的环保准入要求,为出口型企业提供合规保障。
三、五大核心优势,重新定义驱动芯片性能基准
作为一款 250V 单相高低侧功率驱动芯片,JSM2007STR 凭借高低压兼容工艺的技术积淀,将高压耐受、快速响应、智能保护等核心能力融为一体,为系统稳定运行保驾护航。
高压强抗扰,适应复杂工况
在高压应用场景中,电压瞬态变化(dVs/dt)是驱动芯片的 “头号杀手”。JSM2007STR 具备 50V/ns 的超高 dVs/dt 耐受能力,远超行业平均水平,即使在电机启停、逆变器负载突变等极端工况下,也能有效抑制电压尖峰干扰,避免误触发导致的器件损坏。其高侧浮动通道最高工作电压可达 250V,Vs 负偏压能力达 - 9V,轻松应对工业级高压环境的严苛要求。
极速响应,提升系统效率
驱动芯片的传输延时与开关速度直接影响功率器件的开关损耗。JSM2007STR 的开通 / 关断传输延时(Ton/Toff)分别低至 160ns/150ns,延迟匹配时间仅 30ns,较传统型号响应速度提升约 20%。这意味着在高频逆变场景中,功率器件能更精准地跟随控制信号,显著降低开关损耗,提升整机效率。同时,70ns 的开启上升时间与 30ns 的关闭下降时间,让功率器件的开关过程更迅速,进一步减少能量损耗。
智能保护,筑牢安全防线
可靠性是工业级芯片的生命线,JSM2007STR 内置多重保护机制,为系统构建全方位安全屏障。芯片集成欠压锁定电路(UVLO),正向阈值 8.9V、负向阈值 8.2V,当供电电压低于阈值时,自动关断输出,防止功率器件在低压下工作导致的损坏。
更值得关注的是其防直通死区逻辑设计,520ns 的精准死区时间设定,可有效避免上下桥臂功率器件同时导通造成的电源短路,这一参数的稳定性远超传统型号的离散性表现,大幅降低系统设计风险。
宽兼容强驱动,简化设计流程
JSM2007STR 在兼容性上展现出强大优势:逻辑输入电平兼容 3.3V、5V 和 15V CMOS/LSTTL 逻辑,无需额外电平转换电路,轻松适配不同控制系统。输出级拉电流 / 灌电流能力分别达到 290mA/600mA,能快速驱动大容量功率 MOSFET/IGBT 的栅极电容,确保器件快速开关。
对于需要替代 IRS2007S、TF2007 的用户,JSM2007STR 采用完全兼容的 SOIC8 封装,引脚定义与功能一一对应,无需修改 PCB 布局即可直接替换,大幅降低改板成本与周期。
宽温稳定,适应极端环境
从- 40℃的严寒户外到 125℃的高温工业环境,JSM2007STR 始终保持稳定性能。芯片结温最高可达 150℃,结到环境的热阻低至 200℃/W,即使在密闭空间或高功率密度设计中,也能通过合理散热维持稳定运行。这一特性使其在新能源汽车、工业电机、户外逆变器等极端环境应用中表现卓越。
四、替代升级实测:性能全面超越传统型号
为验证 JSM2007STR 的替代价值,我们将其与 IRS2007S、TF2007 在关键参数上进行对比测试,结果显示 JSM2007STR 在多项核心指标上实现全面超越:
在实际应用测试中,采用 JSM2007STR 的电机控制系统运行噪音降低 3dB,效率提升 1.5%;空调逆变器在高温工况下的连续运行稳定性提升,故障间隔时间延长 2 倍以上。这些数据充分证明,JSM2007STR 不仅是 “替代者”,更是 “性能升级者”。
五、产品核心特性
(2)ESD 额定值与热量信息
(3)推荐工作范围(25℃环境温度)
注 :可用于 VSS-50V 的瞬态负 VS,脉冲宽度为 50ns,由设计保证。
六、杰盛微:以技术创新铸就国产芯实力
作为专注于功率半导体领域的民族企业,杰盛微始终以 “技术创新” 为核心驱动力。JSM2007STR 的成功研发,依托于公司在高低压兼容工艺、智能保护算法等领域的深厚积累,不仅填补了国产替代型号在中高压驱动领域的性能空白,更彰显了国产芯片的技术实力。
为保障客户快速导入,杰盛微提供完善的技术支持服务:免费样品申请、详细应用手册(含典型应用电路图)、在线技术咨询等,助力客户缩短产品开发周期。同时,公司建立了稳定的供应链体系,确保量产供货能力,为客户提供持续可靠的产品保障。
如需获取JSM2007STR系列 datasheet、样品或代理合作咨询,欢迎联系:
📞 服务热线:13824341110
📧 邮箱:janice@jsmsemi.com
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