在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与安全性。今天给大家推荐一款国产高性能驱动芯片 ——JSM21867STR，来自杰盛微半导体（JSMSEMI），不仅参数硬核，更能直接替代 IRS21867，为电机驱动、电源转换等场景提供高性价比解决方案。

一、产品概述
JSM21867S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、核心产品特性
自举工作的浮动通道
最高工作电压为 700V兼容
3.3V, 5V和 15V 输入逻辑
dv/dt 耐受能力可达+50 V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压:10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
--欠压锁定正向闽值6V
--欠压锁定负向阀值 5.5V
芯片开通/关断传输延时
--Ton/Toff =150ns/150ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力:
----拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
符合 RoSH 标准
SOP-8

三、核心参数大起底：700V 高压 + 4A 大电流，性能毫不逊色
作为一款专为高压功率场景设计的驱动芯片，JSM21867STR 的参数表堪称 “教科书级别”。它支持最高 700V 工作电压，浮地通道设计让其轻松应对高压母线环境，无论是驱动 N 沟道高压 MOSFET 还是 IGBT，都能稳定输出驱动力。
驱动能力上更是 “底气十足”：拉电流和灌电流均可达 4.0A，大电流脉冲输出能力确保功率器件快速开关，大幅减少开关损耗。动态响应同样出色，开通传输延时（Ton）和关断传输延时（Toff）均低至 150ns，高低侧延时匹配误差≤35ns，高速响应特性让电路动态性能更优。
兼容性方面，它支持 3.3V、5V、15V 多电平逻辑输入，无需额外电平转换电路即可适配不同控制系统，极大简化了电路设计。更值得一提的是其强悍的抗干扰能力：dV/dt 耐受能力达 + 50V/nsec，Vs 引脚负压耐受能力达 - 9V，能有效抵御开关过程中产生的尖峰干扰，减少误动作风险。

四、应用场景全覆盖，从家电到工业无一不精
凭借优异的性能，JSM21867STR 的应用场景十分广泛：
电机驱动与控制：无刷电机、伺服驱动器中，高低侧同步驱动能力确保电机平稳运行；
电动工具：大电流驱动特性适配高速运转需求，提升工具续航与效率；
电源转换系统：逆变器、DC-DC 转换器中，高压耐受与低延时特性减少能量损耗；
家电设备：冰箱、空调等白色家电的压缩机驱动，可靠性设计延长整机寿命。

五、引脚功能描述

极限与推荐范围：
结温（TJ）最高 150℃，存储温度（Ts）-55℃至 150℃，引脚温度（TL）最高 300℃。
封装功率（PD）：0.625W（TA≤25℃），结到环境热阻（RthJA）200℃/W。
ESD 额定值：
人体放电模式：最小值 1.5kV；机器放电模式：最小值 500V。
电气特性（TA=25℃，VCC=VB=15V，CL=1nF）