杰盛微JSM2216G 4A 700V大电流高低侧同相半桥驱动芯片
发布日期:2025-09-09 18:30:00
   在电力电子领域,功率驱动芯片是连接控制电路与功率器件的核心桥梁,其性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与安全性。杰盛微半导体(JSMSEMI)深耕半导体技术研发,凭借对市场需求的敏锐洞察与技术创新实力,推出了一款重磅产品 ——JSM2216G 高压高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动芯片。这款芯片以卓越的电气性能、全面的保护机制与广泛的适配能力,为电机驱动、电源转换等领域带来了全新的解决方案,成为众多工程师设计方案中的 “得力助手”。
一、产品概述
JSM2216G是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片,具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS或 LSTTL逻辑输出电平,输出电流能力最大可达4A,其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。JSM2216G采用SOP-8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。


二、核心产品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为 700V
兼容 3.3V,5V和 15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达+50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压:10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值 8.9V
--欠压锁定负向阈值 8.2V
芯片开通/关断传输延时
--Ton/Toff=130ns/130ns
防止直通保护
--死区时间 250ns
高低侧廷时匹配
驱动电流能力:
----拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
符合 RoSH标准

SOP-8

三、一张 “参数卡片”,看懂它的硬实力
先别急着拆解复杂原理,我们用一组核心参数,快速 get JSM2216G 的 “过人之处”:
驱动对象:专为 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 设计,覆盖工业、消费电子中主流高压功率器件;
电压上限:浮地通道最高工作电压达 700V,轻松应对逆变器、电机驱动等高压场景,无需额外加装分压电路 “减压”;
电流能力:输出电流最大可达 4A,具备强劲的大电流脉冲输出能力,能快速 “唤醒” 功率器件,减少开关延迟;
兼容性:逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 信号,不用额外设计电平转换电路,跟 3.3V 低功耗 MCU、5V/15V 常规控制芯片都能 “无缝对话”;
环境适应性:采用 SOP-8 封装(体积小巧,方便 PCB 高密度布局),工作温度覆盖 - 40℃至 125℃—— 从寒冷的户外设备到高温的工业控制柜,它都能稳定 “上岗”。

四、两大核心设计,解决驱动 “痛点”
光有参数还不够,JSM2216G 的设计细节,才是它能在复杂工况中 “站稳脚跟” 的关键。
1.双独立传输通道:精准控 “力” 不串扰
不同于单通道设计,JSM2216G 内置两个独立的传输通道,分别负责高侧、低侧驱动信号的传递。
这意味着什么?在半桥拓扑电路中(比如电机驱动、电源转换),高侧与低侧功率器件需要交替导通 / 关断,若通道间存在信号串扰,很容易导致 “上下桥同时导通” 的致命问题 —— 轻则烧毁器件,重则引发系统故障。
而双独立通道从硬件层面隔绝了干扰,让高低侧驱动信号互不影响,确保控制指令精准传递到每一个功率器件,大幅降低误动作风险。
2. 双重保护电路:为系统 “筑盾”
高压大电流场景下,“安全” 永远是第一位。JSM2216G 在芯片内部集成了高 / 低侧欠压锁定电路与过压钳位电路,相当于给系统装了 “双重安全阀”:
欠压锁定:当电源电压低于安全阈值时(比如供电不稳导致电压骤降),电路会立即切断驱动信号,防止功率器件在低压状态下 “带病工作”—— 要知道,MOSFET/IGBT 在低压驱动时,导通电阻会急剧增大,很容易因过热烧毁;
过压钳位:当电路中出现电压尖峰(比如功率器件关断瞬间的寄生电感产生的高压),钳位电路会快速将电压 “拉回” 安全范围,避免芯片与功率器件被高压击穿。


五、引脚功能描述


极限工作范围
结温(Tj):最大 150℃
存储温度(Ts):-55℃至(表格乱码,参考常规值结合文档其他信息推测)150℃左右
焊接温度(TL):最大 300℃

动态参数特性

六、这些场景,都能靠它 “驱动
从参数到设计,JSM2216G 的优势最终要落地到实际应用中。目前,它已经成为多个领域的 “常客”:
电机驱动:无论是工业伺服电机、电动工具电机,还是冰箱 / 空调的压缩机电机,JSM2216G 的 4A 大电流能轻松带动电机启停与调速,700V 高压耐受则适应电机工作时的电压波动;
电源转换:在通用逆变器、UPS 电源等设备中,它能高效驱动功率器件完成 AC/DC、DC/AC 转换,减少能量损耗;
高压控制:只要涉及 N 沟道高压 MOSFET/IGBT 的驱动场景,比如新能源领域的小功率储能变流器,它都能提供稳定可靠的驱动支持。


七、为什么选杰盛微?不止于 “好芯片”
作为深耕半导体领域的企业,杰盛微在 JSM2216G 的研发中,不仅追求参数领先,更注重 “实用性”:
简化设计:兼容多电压逻辑、无需额外保护电路,让工程师少走弯路,缩短研发周期;
稳定可靠:从芯片材质到封装工艺,每一步都经过严格测试,确保在 - 40℃~125℃的极端温度下仍能稳定工作;
合规性:符合 RoSH 标准,适配环保要求严格的出口产品。
如果你的项目正被高压大电流驱动难题困扰,或者需要一款 “省心又可靠” 的 MOSFET/IGBT 驱动芯片,不妨重点关注杰盛微 JSM2216G。目前,产品技术手册已在杰盛微官网(www.jsmsemi.com)上线,如需样品测试或技术咨询,可直接联系官方团队 —— 让专业芯片,为你的产品赋能!




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