在电子设备的世界里，芯片如同精密的 “心脏”，驱动着整个系统的高效运转。对于众多工程师和电子产品制造商而言，寻找性能卓越且适配的芯片至关重要。今天，我们要为大家介绍一款来自杰盛微半导体的明星产品 ——JSM2113STR，它在众多方面展现出超越经典芯片 IR2113 的实力，成为理想的替代方案。
一、产品概述
JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。
JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。JSM2113S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、核心产品特性
自举工作的浮动通道
最高工作电压可达 700 V
兼容 3.3V、5V 和 15V输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 Vhnsec
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电范围 10 V-20V
宽温度范围-40~125°C
集成欠压锁定功能
周期性边缘触发关断逻辑
输入输出同相位
逻辑和电源地±5V 偏移
芯片开通关断延时特性
- Ton/Toff =130ns/130ns
-高低侧廷时匹配
驱动电流能力:
--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
高、低侧欠压锁定电路
--欠压锁定正向闽值8.9V
--欠压锁定负向闽值 8.2V
符合 RoSH 标准
SOP-16 (W)
三、核心产品特性
3.1 电压与逻辑兼容性
输入逻辑：兼容3.3V、5V、15V CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平
电压耐受：最高工作电压700V，dVs/dt 耐受能力达 **+50V/nsec**，Vs 负偏压能力达 **-9V**
电源电压：逻辑电源（VDD）范围为 Vss+3V 至 Vss+25V，低侧电源（VCC）推荐工作范围10V-20V
3.2 功能集成
保护功能：集成高低侧 shutdown 逻辑（故障时关断）、欠压锁定功能（VCC 欠压正向阈值 8.9V、负向阈值 8.2V；VB 欠压正向阈值 8.9V、负向阈值 8.2V，迟滞均为 0.7V）
时序特性：输入输出同相位，周期性边缘触发关断逻辑；开通 / 关断延时（Ton/Toff）均为130ns，高低侧延时匹配最大10ns；上升时间（tR）25-35ns，下降时间（tF）约 17ns
3.3 电流特性
输出电流：驱动电流能力为拉电流 4.0A / 灌电流 4.0A
静态电流：高侧浮动电源静态电流（IoBS）典型 70μA、最大 120μA；低侧电源静态电流（Iocc）典型 120μA、最大 240μA；逻辑电源静态电流（IQCD）典型 15μA；高侧浮动电源泄漏电流（ILK）最大 50μA（VB=VS=700V 时）
四、引脚功能描述
极限工作范围
推荐工作范围
五、应用范围
通用逆变器
交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
用于服务器、电信、IT 和工业基础设施的高密度开关电源
太阳能逆变器、电机驱动器和 UPS（不间断电源）
（一）更高的耐压能力
IR2113 的最高工作电压为 600V，而 JSM2113STR 的浮地通道最高工作电压可达 700V。在一些对电压要求较高的应用场景中，如高压电力转换、工业逆变器等，JSM2113STR 能够承受更高的电压，确保设备在高电压环境下稳定运行，大大提高了系统的可靠性和适应性。
（二）更强的驱动电流
IR2113 的输出拉电流和灌电流典型值为 2.5A，而 JSM2113STR 的输出拉电流和灌电流均达到 4.0A。在驱动功率 MOSFET 或 IGBT 时，更大的驱动电流意味着能够更快地对栅极电容进行充放电，从而实现更快的开关速度，降低开关损耗，提高系统的效率。例如在电机驱动系统中，更高的驱动电流可以让电机响应更加迅速，运行更加平稳。
（三）更宽的逻辑输入兼容
IR2113 逻辑兼容 3.3V，而 JSM2113STR 的逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，同时还能兼容 5V 和 15V 的输入逻辑。这使得 JSM2113STR 在与不同逻辑电平的控制芯片连接时更加灵活，无论是低电压的微控制器系统，还是较高电压的逻辑电路，都能轻松适配，大大减少了系统设计过程中的电平转换环节，降低了设计成本和复杂性。
（四）出色的抗干扰能力
JSM2113STR 的 dVs/dt 耐受能力可达 ±50V/nsec，Vs 负偏压能力达 - 9V，相比之下，IR2113 在这方面未明确给出如此出色的参数。在实际应用中，尤其是在一些电磁环境复杂的场合，如工业现场、开关电源附近等，JSM2113STR 能够更好地抵抗电压的快速变化和负偏压干扰，保证芯片的正常工作，减少误动作的发生。
（五）集成丰富保护功能
JSM2113STR 内部集成了高低侧 shutdown 逻辑，可用于故障条件下的快速通断关断，同时还具备欠压锁定功能。VCC 欠压正向阈值为 8.9V，负向阈值为 8.2V；VB 欠压正向阈值为 8.9V，负向阈值为 8.2V，迟滞均为 0.7V。而 IR2113 虽有双通道欠压锁定，但在整体保护功能的丰富性和参数设置的合理性上，JSM2113STR 更具优势。这些保护功能能够在系统出现异常时迅速动作，保护芯片和后端负载，大大提高了系统的稳定性和可靠性。
选择 JSM2113STR，选择更优解决方案
从性能参数到实际应用，JSM2113STR 都展现出了超越 IR2113 的实力。对于正在使用 IR2113 的工程师和制造商来说，JSM2113STR 无疑是一个升级换代的绝佳选择。它不仅能够提升产品的性能和可靠性，还能在一定程度上降低系统设计的复杂性和成本。杰盛微半导体还为客户提供完善的技术支持。无论是免费申请样品（新客户专享），还是提供参考设计及开发工具，亦或是资深 FAE 团队一对一的支持，都能帮助客户快速将 JSM2113STR 导入设计，缩短产品的研发周期。
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在芯片技术不断发展的今天，杰盛微半导体的 JSM2113STR 正以其卓越的性能和完善的服务，为电子设备行业带来新的活力。选择 JSM2113STR，就是选择更高效、更可靠、更具竞争力的解决方案。让我们携手杰盛微，共同开启电子设备的创新之旅。
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