在电力电子技术向高频化、高效化、小型化转型的浪潮中，碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借其独特的物理特性，正逐步取代传统硅基器件，成为新能源、工业控制、通信电源等领域的核心选择。杰盛微半导体深耕碳化硅技术研发，重磅推出 SC3D10065I-JSM 碳化硅肖特基二极管，不仅在电气性能上全面对标经典型号 C3D10065A，更在损耗控制、热管理与兼容性上实现关键升级，为工程师提供更具性价比的优质替代方案。

一、产品基础描述
     杰盛微半导体的SC3D10065I-JSM是一款650V 碳化硅肖特基二极管，采用 TO-220-2 封装，具备零反向恢复电流、高频工作、开关速度极快等核心特性，可替代双极型整流器，实现无开关损耗、高效率等优势，适用于开关模式电源、PFC 升压二极管等场景，其连续正向电流最高 29A（Tc=25℃）、结温工作范围 - 55~+175℃，关键电气参数含正向电压 1.4~2.2V、反向电流最大 200μA，且不建议用于军事、航空航天等未指定场景。

二、核心特性与优势
核心特性：
额定反向峰值电压 650V，属于高压肖特基整流器件；
零反向恢复电流（多数载流子二极管，无反向恢复电荷）；
支持高频工作、开关特性不受温度影响、开关速度极快。
核心优势：
可替代双极型整流器，适配单极整流需求；
基本无开关损耗，工作效率高；
降低散热片需求，减少系统散热设计压力；
多器件并联使用时无热失控风险，稳定性强。

三、关键电气与热学参数（TC=25℃ 除非另有说明）

（1）最大额定值

（2）电气特性

（3）热学特性

四、核心特性：重新定义高压整流器件的性能基准
SC3D10065I-JSM 的核心竞争力源于其深度优化的产品特性，完美契合现代电力电子设备的严苛需求：
650V 高压稳定整流：重复峰值反向电压、浪涌峰值反向电压及直流峰值反向电压均达到 650V，满足高压应用场景的核心要求，适配各类中大功率整流需求。
零反向恢复电流：作为多数载流子二极管，器件无反向恢复电荷，从根源上消除了传统二极管的开关损耗，这一特性使其在高频工况下的效率优势尤为突出。
高频与宽温适配：支持高频工作模式，配合极快的开关速度和温度无关的开关性能，即便在 - 55℃至 175℃的极端温度范围内，也能保持稳定运行，适配复杂工况。
无热失控并联能力：多器件并联使用时无需担心热失控问题，为大功率应用场景提供灵活的功率拓展方案，提升系统设计的灵活性。

五、关键参数：硬核性能，数据说话
SC3D10065I-JSM 的每一项电气参数都经过严苛测试验证，在电流、电压、损耗等核心维度展现出强悍实力：
（1）电流与电压性能
连续正向电流（IF）表现优异：25℃环境温度下最高可达 29A，135℃时仍能保持 12.7A 稳定输出，149℃极限高温下正向电流依旧可达 10A，高温载流能力行业领先；
非重复正向浪涌电流（IFSM）高达 80A（Tc=25℃，tp=10ms，半正弦脉冲条件），抗冲击能力强劲，有效提升系统在突发工况下的可靠性；
650V 额定反向电压下，反向电流（IR）控制精准：25℃时最大值仅 50μA，175℃高温下不超过 200μA，漏电流处于行业超低水平，保障器件长期稳定运行。

（2）损耗控制与寄生参数
正向电压（VF）低至 1.4V（典型值，IF=10A，TJ=25℃），最大值不超过 1.7V；175℃高温下最大值也仅 2.2V，显著降低导通损耗；
总电容电荷（Qc）仅 36nC（VR=400V，IF=10A，TJ=25℃），电容存储能量（Ec）为 4.6μJ（VR=400V），低寄生参数进一步优化高频开关性能，减少能量损耗；
功率损耗（Ptot）控制精准：25℃时最高可达 94W，110℃时仍保持 40W 额定值，兼顾大功率输出与低损耗需求。

（3）热管理特性
器件的结到壳热阻（Ruc）典型值仅 1.6℃/W，热量传导效率优异，配合精准的功率降额设计，大幅降低对散热片的依赖。这一优势不仅能减少系统散热设计成本，还能缩小设备整体体积，为产品小型化升级提供更大空间。
封装设计：无缝兼容，省心替换
SC3D10065I-JSM 采用经典的 TO-220-2 封装，在保障性能的同时，最大化提升与 C3D10065A 的兼容性：
标准化尺寸设计：总长度 15.35-15.95mm，高度 4.30-4.50mm，引脚间距固定为 5.08mm，完美适配现有 PCB 板布局，无需改动电路设计即可直接替换 C3D10065A；
优化的引脚结构：引脚宽度 0.65-0.85mm，长度 13.00-14.00mm，确保焊接可靠性与电流传导效率，进一步提升实际应用中的稳定性；
成熟封装工艺：经过市场验证的 TO-220-2 封装，散热性能与机械强度兼顾，适配工业级应用的严苛环境要求。

六、应用场景：覆盖多领域，赋能设备升级
凭借卓越的性能与兼容性，SC3D10065I-JSM 的应用场景广泛，可无缝替代 C3D10065A 用于多个核心领域：
开关模式电源（SMPS）：高频工作特性适配更高开关频率，提升电源功率密度与转换效率，适用于工业电源、消费电子电源等；
功率因数校正（PFC）电路：作为升压二极管，有效改善电网功率因数，降低谐波污染，适配新能源充电桩、通信电源等场景；
DC/DC 与 AC/DC 转换器：低损耗、快开关特性助力实现更高转换效率，满足新能源汽车辅助电源、工业控制电源等需求；
逆变器续流二极管：抗浪涌能力与高温稳定性确保逆变器持续可靠运行，适配光伏逆变器、风电逆变器等新能源设备。

品牌保障：杰盛微的技术沉淀与服务承诺
杰盛微半导体始终以技术创新为核心驱动力，SC3D10065I-JSM 的推出是公司在碳化硅器件领域的重要成果：
严苛的质量控制：产品经过多轮可靠性测试，工作结温与存储温度范围均为 - 55℃至 175℃，适应极端环境下的工作需求，文档版本 V1.0 的技术参数经过反复验证，数据精准可靠；
完善的技术支持：如需了解产品详情、获取应用方案或技术资料，可通过官网咨询，专业团队将提供全方位技术服务；
明确的应用说明：产品未设计用于军事、航空航天、汽车或医疗设备等特殊领域，若需此类场景应用，需联系杰盛微获取专用定制型号；产品技术参数可能因升级有所变更，实际设计时请参考最新交付规范。
选择 SC3D10065I-JSM，选择高效稳定的替代方案
在碳化硅器件替代传统硅基器件的行业趋势下，杰盛微 SC3D10065I-JSM 以零反向恢复电流、低损耗、高兼容性的核心优势，成为 C3D10065A 的理想替代选择。无论是现有产品的效率升级，还是新项目的方案设计，SC3D10065I-JSM 都能以高可靠性、高效率、高性价比的表现，助力工程师攻克技术难题，降低研发成本，推动产品竞争力提升。
未来，杰盛微将持续聚焦碳化硅半导体技术的研发与创新，推出更多高性能、高可靠性的半导体器件，为电力电子行业的发展注入强劲动力。选择杰盛微 SC3D10065I-JSM，就是选择高效、稳定、省心的元器件解决方案，让我们携手共进，共创电力电子领域的新价值！